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固态电子元件与材料研究组

  针对奈米矽基元件(Nanoscale Si-based Devices)、元件量测与模拟(Device Measurement and Simulation)、前瞻内存元件(Emerging Memory Devices)等专题进行研究,含各项奈米级矽基元件开发研究、奈米级元件电性量测与物理模拟及前瞻内存元件开发研究。

  专注于利用鳍式电晶体结构与磊晶成长于矽芯片上的高载子迁移率通道材料,如锗或III-V族材料等,开发十奈米以下之高性能场效电晶体。此外,利用量子穿隧效应之穿隧式场效电晶体与铁电材料负电容效应之负电容场效电晶体亦是将来重要的研究方向。

  奈米尺度下包含低维度传输行为,应力效应,量子侷限效应,异质接面,噪声扰动等物理现象与过去半导体元件有很大的差异,透过电性量测与理论计算建立完整的物理模型对元件特性的持续提升非常重要,同时并可以对元件可靠度、简化电路模型(compact model)、元件与电路共同最佳化作出贡献。

  高密度资料储存内存(Storage-class memory)与低成本嵌入式非挥发性内存为未来内存的两大应用趋势,将在未来的高速、低功耗资讯系统中扮演关键性的角色,但现有内存元件技术无法满足应用上的需求,所以包含三维高密度NAND快闪内存、铁电内存、磁阻内存、相变化内存、电阻式内存等新兴内存技术将是重要的研究课题。