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106学年度春季班TIT双联学位即日起开始接受申请

国际半导体产业学院与东京工业大学双联学位即日起开始接受申请至106年9月29日

应检附申请资料如下:

1. 中文申请表1份

2. 大学部历年英文成绩单

3. 英文简历

4. 英文自传 (A4格式打字,Times New Roman 12字体,单行间距,1页)

5. 英文研究计画书 (A4格式打字,Times New Roman 12字体,单行间距,2页)

6. 监护人具结同意函1份

7. 其他有助审查资料(如外语能力证明、获奖证明…等)

p.s.英文能力证明文件(TOEFL-iBT、TOEFL-PBT、TOEIC、IELTS),需于2015年11月2日(含)以后的日期方有效

 

以上申请资料需缴交纸本及电子档各一份

如有问题请来电询问