Orbit

 张 翼
院长
姓名 张 翼
电子邮件 edc@mail.nctu.edu.tw
联络电话 03-5712121 ext. 31536/31502
研究专长
砷化镓高频电晶体技术、化合物光电半导体元件与制程、三五族材料磊晶技术、半导体材料分析

1. GaN, GaAs及InP等磊晶材料系统(MOCVD及MBE)
2. Si晶圆上成长三五族半导体磊晶(III-V/Si整合)
3. SiGe磊晶成长(UHVCVD)
4. 三五族高频电晶体元件制作技术:RIE&ICP etcher、PECVD、Sputter、E-Beam Lithography
5. GaN LED 材料磊晶成长与元件制作
6. 氮化镓功率电晶体磊晶材料成长与元件制作
职称 教授
年度 论文名称
2014 S. C. Liu, B. Y. Chen, Y. C. Lin, T. E. Hsieh, H. C. Wang, and E. Y. Chang, GaN MIS-HEMTs With Nitrogen Passivation for Power Device Applications, IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 10, pp.1001 – 1003, Oct. 2014
2014 T. E. Hsieh, E. Y. Chang, Y. Z. Song, Y. C. Lin, H.C. Wang, S. C. Liu, S. Salahuddin, and C. C. Hu, Gate Recessed Quasi-Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Low Threshold Voltage Hysteresis Using PEALD AlN Interfacial Passivation Layer, IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no 7,pp.732 – 734,July2014
2013 E. Y. Chang, C. I. Kuo, H. T. Hsu, C. Y. Chiang, and Y. Miyamoto, InAs Thin-Channel High-Electron-Mobility Transistors with Very High Current-Gain Cutoff Frequency for Emerging Submillimeter-Wave Applications, Appl. Phys. Express, vol.6,no.3, pp.03400-1–03400-3, Feb. 2013
2013 Y. C. Lin, H. D. Trinh, T. W. Chuang, H. Iwai, K. Kakushima, P. Ahmet, C. H. Lin, C. H. Diaz, H. C. Chang, S. M. Jang, and E. Y. Chang, Electrical Characterization and Materials Stability Analysis of La2O3/HfO2 Composite Oxides on n-In0.53Ga0.47As MOS Capacitors with Different Annealing, IEEE Electron Device Lett., vol. 34, no. 10, pp. 1229 – 1231, Oct. 2013
2013 H. D. Trinh, Y. C. Lin, E. Y. Chang, C. T. Lee, S.Y. Wang, H. Q. Nguyen, Y. S. Chiu, Q. H. Luc, H.C. Chang, C. H. Lin, S. Jang, and C. H. Diaz, Electrical Characteristics of Al2O3/InSb MOSCAPs and the Effect of Postdeposition Annealing Temperature, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 5,pp. 1555 – 1559,May 2013
2008 C. I Kuo, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. Y. Chang, Y. Miyamoto, S. Datta, M.Radosavljevic, G. W. Huang, and C. T. Lee, RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As /InAs/In0.7Ga0.3As Composite Channel HEMT Using Gate Sinking Technology, IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 4, pp. 290-293, April 2008
2007 Y. C. Lin, H.Yamaguchi, E. Y. Chang, Y. C. Hsieh, M. Ueki, Y. Hirayama, C. Y. Chang, Growth of very high mobility AlGaSb/InAs High-Electron-Mobility transistor structure on Si substrate for high-speed electronic applications, Appl. Phys. Lett., vol. 90, issue 2, pp. 0235091-1–0235091-3, Nov. 2007
2007 C. Y. Chang, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. I. Kuo, M. Radosavljevic, Y. Miyamoto, and G. W. Huang, Investigation of Impact Ionization in InAs-Channel HEMT for Speed and Low Power Applications, IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 10, pp.856 - 858,Oct. 2007
2001 C. Y. Chen, E. Y. Chang, L. Chang, and S. H. Chen, Backside copper metallization of GaAs MESFET’s using TaN as the diffusion barrier, IEEE Trans. Electron Devices, vol.48, no.6, pp.1033-1036,June 2001
1996 Y. L. Lai, E. Y. Chang, C. Y. Chang, T. K. Chen, T. H. Liu, S. P. Wang, T. H. Chen, C. T. Lee, “5mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT’s for 3 V L-band applications”, IEEE Electron Device Lett., vol.17, no. 5, pp. 229-231, May 1996
国家 学校名称 系所 学位
美国 明尼苏达大学 材料科学与工程 博士
台湾 国立清华大学 材料科学与工程 学士
服务机关名称 单位 职务
国立交通大学 校长及副校长室 副校长
国立交通大学 国际半导体产业学院 院长
国立交通大学 / 台积电 交大-台积电联合研发中心 主任
国立交通大学 研究发展处 研发长
国立交通大学 钻石计画办公室 主任
国立交通大学 材料所 / 电子所 合聘教授
国立交通大学 材料科学与工程学系 主任
国立交通大学 国际化事务办公室 执行长
国立交通大学 材料科学与工程学系 教授
汉威光电公司 总经理室 总经理
美国 Comsat Labs Microelectronics Division Senior MTS
美国 Unisys Corp GaAs Component Division Senior MTS
年度 奖项名称 颁奖单位
2015 杰出研究奖 科技部
2014 会员 电机电子工程师学会(IEEE)
2013 会员 中国材料科学学会
2012 杰出研究奖 科技部
2011 杰出技术转移贡献奖 科技部
2011 国家产业创新奖-「产业创新学术奖」 经济部
2008 杰出电机工程教授奖 中国电机工程学会
2008 杰出研究奖 科技部
2007 大学产业经济贡献奖-「产业深耕奖」 经济部