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院长

  • 姓名 : 张 翼
  • 职称 : 教授
  • 电子邮件 : edc@mail.nctu.edu.tw
  • 联络电话 : 03-5712121 ext. 31536/31502
  • 研究专长 :
    砷化镓高频电晶体技术、化合物光电半导体元件与制程、三五族材料磊晶技术、半导体材料分析

    1. GaN, GaAs及InP等磊晶材料系统(MOCVD及MBE)
    2. Si晶圆上成长三五族半导体磊晶(III-V/Si整合)
    3. SiGe磊晶成长(UHVCVD)
    4. 三五族高频电晶体元件制作技术:RIE&ICP etcher、PECVD、Sputter、E-Beam Lithography
    5. GaN LED 材料磊晶成长与元件制作
    6. 氮化镓功率电晶体磊晶材料成长与元件制作
  • 学经历
    • 学历
      • 美国明尼苏达大学材料科学与工程博士
      • 国立清华大学材料科学与工程学士
    • 经历
      • 国立交通大学副校长(2015.08迄今)
      • 国立交通大学国际半导体产业学院院长(2014.08迄今)
      • 交大-台积电联合发中心主任(2013.05迄今)
      • 国立交通大学研发长(2011.02迄今)
      • 国立交通大学钻石计画办公室主任(2011.02迄今)
      • 国立交通大学材料所/电子所合聘教授(2008.02迄今)
      • 国立交通大学材料科学与工程学系主任(2004.02-2008.02)
      • 国立交通大学国际化事务办公室执行长(2002.06-2004.01)
      • 国立交通大学材料科学与工程学系教授(1999.02迄今)
      • 汉威光电公司总经理 (1997.12-1999.01)
      • 美国Comsat Labs Senior MTS/ Microelectronics Division (1988.05-1990.01)
      • 美国Unisys Corp/ GaAs Component Division (1985.12-1988.05) 

  • 学术荣誉
    • 电机电子工程师学会(IEEE)会士(2014)
    • 中国材料科学学会会士(2013)
    • 科技部「杰出研究奖」(2008、2012、2015)
    • 科技部「杰出技术转移贡献奖」(2011)
    • 经济部第一届国家产业创新奖-「产业创新学术奖」(2011)
    • 经济部大学产业经济贡献奖-「产业深耕奖」(2007)
    • 中国电机工程学会「杰出电机工程教授奖」(2008)

  • 学术着作(代表性)
1.   Y. L. Lai, E. Y. Chang, C. Y. Chang, T. K. Chen, T. H. Liu, S. P. Wang, T. H. Chen, C. T. Lee, “5mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT’s for 3 V L-band applications,” IEEE Electron Device Lett., vol.17, no. 5, pp. 229-231, May 1996.
2.   C. Y. Chen, E. Y. Chang, L. Chang, and S. H. Chen, “Backside copper metallization of GaAs MESFET’s using TaN as the diffusion barrier”, IEEE Trans. Electron Devices, vol.48, no.6, pp.1033-1036,June 2001.
3.   Y. C. Lin, H.Yamaguchi, E. Y. Chang, Y. C. Hsieh, M. Ueki, Y. Hirayama, C. Y. Chang, “Growth of very high mobility AlGaSb/InAs High-Electron-Mobility transistor structure on Si substrate for high-speed electronic applications”, Appl. Phys. Lett., vol. 90, issue 2, pp. 0235091-1–0235091-3, Nov. 2007.
4.   C. Y. Chang, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. I. Kuo, M. Radosavljevic, Y. Miyamoto, and G. W. Huang, “Investigation of Impact Ionization in InAs-Channel HEMT for Speed and Low Power Applications” IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 10, pp.856 - 858,Oct. 2007.
5.   C. I Kuo, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. Y. Chang, Y. Miyamoto, S. Datta, M.Radosavljevic, G. W. Huang, and C. T. Lee, “RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As /InAs/In0.7Ga0.3As Composite Channel HEMT Using Gate Sinking Technology, ”IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 4, pp. 290-293, April 2008.
6.   E. Y. Chang, C. I. Kuo, H. T. Hsu, C. Y. Chiang, and Y. Miyamoto, “InAs Thin-Channel High-Electron-Mobility Transistors with Very High Current-Gain Cutoff Frequency for Emerging Submillimeter-Wave Applications,” Appl. Phys. Express, vol.6,no.3, pp.03400-1–03400-3, Feb. 2013.
7.   H. D. Trinh, Y. C. Lin, E. Y. Chang, C. T. Lee, S.Y. Wang, H. Q. Nguyen, Y. S. Chiu, Q. H. Luc, H.C. Chang, C. H. Lin, S. Jang, and C. H. Diaz, “Electrical Characteristics of Al2O3/InSb MOSCAPs and the Effect of Postdeposition Annealing Temperature,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 5,pp. 1555 – 1559,May 2013.
8.   Y. C. Lin, H. D. Trinh, T. W. Chuang, H. Iwai, K. Kakushima, P. Ahmet, C. H. Lin, C. H. Diaz, H. C. Chang, S. M. Jang, and E. Y. Chang. ” Electrical Characterization and Materials Stability Analysis of La2O3/HfO2 Composite Oxides on n-In0.53Ga0.47As MOS Capacitors with Different Annealing”, IEEE Electron Device Lett., vol. 34, no. 10, pp. 1229 – 1231, Oct. 2013.
9.   T. E. Hsieh, E. Y. Chang, Y. Z. Song, Y. C. Lin, H.C. Wang, S. C. Liu, S. Salahuddin, and C. C. Hu ” Gate Recessed Quasi-Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Low Threshold Voltage Hysteresis Using PEALD AlN Interfacial Passivation Layer” IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no 7,pp.732 – 734,July2014.
10.  S. C. Liu, B. Y. Chen, Y. C. Lin, T. E. Hsieh, H. C. Wang, and E. Y. Chang, “GaN MIS-HEMTs With Nitrogen Passivation for Power Device Applications“ IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 10, pp.1001 – 1003, Oct. 2014.