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固態電子元件與材料研究

  • 2015-09-01
  • Ruling Digital

固態電子元件與材料研究組

  針對奈米矽基元件(Nanoscale Si-based Devices)元件量測與模擬(Device Measurement and Simulation)、前瞻記憶體元件(Emerging Memory Devices)等專題進行研究,各項奈米級矽基元件開發研究奈米級元件電性量測與物理模擬前瞻記憶體元件開發研究。

  專注於利用鰭式電晶體結構與磊晶成長於矽晶片上的高載子遷移率通道材料,如鍺或III-V族材料等,開發十奈米以下之高性能場效電晶體。此外,利用量子穿隧效應之穿隧式場效電晶體與鐵電材料負電容效應之負電容場效電晶體亦是將來重要的研究方向。

  奈米尺度下包含低維度傳輸行為,應力效應,量子侷限效應,異質接面,雜訊擾動等物理現象與過去半導體元件有很大的差異,透過電性量測與理論計算建立完整的物理模型對元件特性的持續提升非常重要,同時並可以對元件可靠度、簡化電路模型(compact model)、元件與電路共同最佳化作出貢獻。

  高密度資料儲存記憶體(Storage-class memory)與低成本嵌入式非揮發性記憶體為未來記憶體的兩大應用趨勢,將在未來的高速、低功耗資訊系統中扮演關鍵性的角色,但現有記憶體元件技術無法滿足應用上的需求,所以包含三維高密度NAND快閃記憶體、鐵電記憶體、磁阻記憶體、相變化記憶體、電阻式記憶體等新興記憶體技術將是重要的研究課題。