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院長

  • 姓名 : 張 翼
  • 職稱 : 教授
  • 電子郵件 : edc@mail.nctu.edu.tw
  • 聯絡電話 : 03-5712121 ext. 31536/31502
  • 研究專長 :
    砷化鎵高頻電晶體技術、化合物光電半導體元件與製程、三五族材料磊晶技術、半導體材料分析

    1. GaN, GaAs及InP等磊晶材料系統(MOCVD及MBE)
    2. Si晶圓上成長三五族半導體磊晶(III-V/Si整合)
    3. SiGe磊晶成長(UHVCVD)
    4. 三五族高頻電晶體元件製作技術:RIE&ICP etcher、PECVD、Sputter、E-Beam Lithography
    5. GaN LED 材料磊晶成長與元件製作
    6. 氮化鎵功率電晶體磊晶材料成長與元件製作
  • 學經歷
    • 學歷
      • 美國明尼蘇達大學材料科學與工程博士
      • 國立清華大學材料科學與工程學士
    • 經歷
      • 國立交通大學副校長(2015.08迄今)
      • 國立交通大學國際半導體產業學院院長(2014.08迄今)
      • 交大-台積電聯合發中心主任(2013.05迄今)
      • 國立交通大學研發長(2011.02迄今)
      • 國立交通大學鑽石計畫辦公室主任(2011.02迄今)
      • 國立交通大學材料所/電子所合聘教授(2008.02迄今)
      • 國立交通大學材料科學與工程學系主任(2004.02-2008.02)
      • 國立交通大學國際化事務辦公室執行長(2002.06-2004.01)
      • 國立交通大學材料科學與工程學系教授(1999.02迄今)
      • 漢威光電公司總經理 (1997.12-1999.01)
      • 美國Comsat Labs Senior MTS/ Microelectronics Division (1988.05-1990.01)
      • 美國Unisys Corp/ GaAs Component Division (1985.12-1988.05) 

  • 學術榮譽
    • 電機電子工程師學會(IEEE)會士(2014)
    • 中國材料科學學會會士(2013)
    • 科技部「傑出研究獎」(2008、2012、2015)
    • 科技部「傑出技術轉移貢獻獎」(2011)
    • 經濟部第一屆國家產業創新獎-「產業創新學術獎」(2011)
    • 經濟部大學產業經濟貢獻獎-「產業深耕獎」(2007)
    • 中國電機工程學會「傑出電機工程教授獎」(2008)

  • 學術著作(代表性)
1.   Y. L. Lai, E. Y. Chang, C. Y. Chang, T. K. Chen, T. H. Liu, S. P. Wang, T. H. Chen, C. T. Lee, “5mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT’s for 3 V L-band applications,” IEEE Electron Device Lett., vol.17, no. 5, pp. 229-231, May 1996.
2.   C. Y. Chen, E. Y. Chang, L. Chang, and S. H. Chen, “Backside copper metallization of GaAs MESFET’s using TaN as the diffusion barrier”, IEEE Trans. Electron Devices, vol.48, no.6, pp.1033-1036,June 2001.
3.   Y. C. Lin, H.Yamaguchi, E. Y. Chang, Y. C. Hsieh, M. Ueki, Y. Hirayama, C. Y. Chang, “Growth of very high mobility AlGaSb/InAs High-Electron-Mobility transistor structure on Si substrate for high-speed electronic applications”, Appl. Phys. Lett., vol. 90, issue 2, pp. 0235091-1–0235091-3, Nov. 2007.
4.   C. Y. Chang, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. I. Kuo, M. Radosavljevic, Y. Miyamoto, and G. W. Huang, “Investigation of Impact Ionization in InAs-Channel HEMT for Speed and Low Power Applications” IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 10, pp.856 - 858,Oct. 2007.
5.   C. I Kuo, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. Y. Chang, Y. Miyamoto, S. Datta, M.Radosavljevic, G. W. Huang, and C. T. Lee, “RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As /InAs/In0.7Ga0.3As Composite Channel HEMT Using Gate Sinking Technology, ”IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 4, pp. 290-293, April 2008.
6.   E. Y. Chang, C. I. Kuo, H. T. Hsu, C. Y. Chiang, and Y. Miyamoto, “InAs Thin-Channel High-Electron-Mobility Transistors with Very High Current-Gain Cutoff Frequency for Emerging Submillimeter-Wave Applications,” Appl. Phys. Express, vol.6,no.3, pp.03400-1–03400-3, Feb. 2013.
7.   H. D. Trinh, Y. C. Lin, E. Y. Chang, C. T. Lee, S.Y. Wang, H. Q. Nguyen, Y. S. Chiu, Q. H. Luc, H.C. Chang, C. H. Lin, S. Jang, and C. H. Diaz, “Electrical Characteristics of Al2O3/InSb MOSCAPs and the Effect of Postdeposition Annealing Temperature,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 5,pp. 1555 – 1559,May 2013.
8.   Y. C. Lin, H. D. Trinh, T. W. Chuang, H. Iwai, K. Kakushima, P. Ahmet, C. H. Lin, C. H. Diaz, H. C. Chang, S. M. Jang, and E. Y. Chang. ” Electrical Characterization and Materials Stability Analysis of La2O3/HfO2 Composite Oxides on n-In0.53Ga0.47As MOS Capacitors with Different Annealing”, IEEE Electron Device Lett., vol. 34, no. 10, pp. 1229 – 1231, Oct. 2013.
9.   T. E. Hsieh, E. Y. Chang, Y. Z. Song, Y. C. Lin, H.C. Wang, S. C. Liu, S. Salahuddin, and C. C. Hu ” Gate Recessed Quasi-Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Low Threshold Voltage Hysteresis Using PEALD AlN Interfacial Passivation Layer” IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no 7,pp.732 – 734,July2014.
10.  S. C. Liu, B. Y. Chen, Y. C. Lin, T. E. Hsieh, H. C. Wang, and E. Y. Chang, “GaN MIS-HEMTs With Nitrogen Passivation for Power Device Applications“ IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 10, pp.1001 – 1003, Oct. 2014.