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荊 鳳德
合聘師資
姓名 荊 鳳德
職稱 教授
電子郵件 achin@faculty.nctu.edu.tw
聯絡電話 03-573-1841
個人網址 http://web.it.nctu.edu.tw/~achin/
研究專長
sub-10 nm MOSFET & Memory
Green Electronic Devices
RF & mm-wave IC Design
Mobile High-Power Devices
簡介
荊鳳德博士為國立交通大學特聘教授,於1989年畢業於密西根大學電機工程系,並任職於AT&T貝爾實驗室、奇異公司General Electric電子實驗室、德州儀器Texas Instruments VLSI部門、國立新加坡大學客座教授、台灣奈米電子協會副主任、國立交通大學鑽石計畫副執行長及跨領域研究中心副主任。
 
荊教授是國際「高介電氧化層」電晶體(high-κ CMOS)的先驅,此創新電晶體可大幅改善直流漏電與功率損耗(DC power consumption),目前已應用於全球IC廠如Intel、IBM、Samsung、TSMC、Global Foundries等。他並發明無缺陷絕緣鍺(defect-free Ge-on-Insulator)用來提高電晶體電子遷移率及降低IC「直流功率損耗」,發明3D-IC來降低電路「交流功率消耗」(AC switching power)與增加IC微縮,諧振腔光電探測器來增高頻寬,與高電子遷移率應變補償電晶體(strain-compensated InGaAs FET)。荊教授同時也是high-κ快閃記憶體、超低功率電阻式記憶體的先驅,他發明的高介電層氧化鈦/氧化鋯和鎳電極已用於DRAM元件製程。荊教授其他貢獻為矽基板上之高性能射頻電感、sub-THz (>100 GHz)濾波器和天線,其發明的非對稱 LDD MOSFET已用於高功率射頻IC。荊教授的研究領域包括:下世代奈米綠能電晶體、高功率車用電子元件(為Semiconductor Today報導
http://www.semiconductor-today.com/)、量子快閃記憶體、太陽能電池、射頻元件、RF IC設計。
 
荊教授目前已出版超過400篇學術論文,其中有7篇為高引用文(前1%的科學引用指標)。其發表的high-κ電晶體、鍺電晶體、非揮發性記憶體、DRAM電容和射頻元件等相關論文,多次受「國際半導體技術藍圖」
http://www.itrs.net/所引用。他曾受邀請演講於「國際電子元件會議」IEDM http://www.his.com/~iedm/、美歐日韓主要的電子元件會議及公司(IBM、SanDisk、Toshiba、三星電子等),曾擔任Invited Panelist於第62th Device Research Conference, Si Nanoelectronics Workshop, New channel MOSFET workshop。
 
荊教授並擔任IEEE特聘講師、IEEE Electron Device letters編輯、「國際電子元件會議」IEDM執行委員、國科會傑出研究獎等多項成就、受國際著名之「紐約時報」“The New York Times”所訪問報導。由於荊教授在「高介電氧化層」電晶體(high-κ gate dielectric and metal-gate CMOS)上的貢獻,獲頒IEEE Fellow。
國家 學校名稱 系所 學位
美國 密西根大學 電機工程系 博士
服務機關名稱 單位 職務
國立交通大學 國際半導體產業學院 合聘教授
AT&T 貝爾實驗室
奇異公司 電子實驗室
德州儀器 VLSI部門
國立新加坡大學 客座教授
台灣奈米電子協會 副主任
國立交通大學 鑽石計畫推動辦公室 副執行長
國立交通大學 跨領域研究中心 副主任
國立交通大學 電子工程系 特聘教授
台積電 顧問