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 張 翼
院長
姓名 張 翼
職稱 教授
電子郵件 edc@mail.nctu.edu.tw
聯絡電話 03-5712121 ext. 31536/31502
研究專長
砷化鎵高頻電晶體技術、化合物光電半導體元件與製程、三五族材料磊晶技術、半導體材料分析

1. GaN, GaAs及InP等磊晶材料系統(MOCVD及MBE)
2. Si晶圓上成長三五族半導體磊晶(III-V/Si整合)
3. SiGe磊晶成長(UHVCVD)
4. 三五族高頻電晶體元件製作技術:RIE&ICP etcher、PECVD、Sputter、E-Beam Lithography
5. GaN LED 材料磊晶成長與元件製作
6. 氮化鎵功率電晶體磊晶材料成長與元件製作
年度 論文名稱
2014 S. C. Liu, B. Y. Chen, Y. C. Lin, T. E. Hsieh, H. C. Wang, and E. Y. Chang, GaN MIS-HEMTs With Nitrogen Passivation for Power Device Applications, IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 10, pp.1001 – 1003, Oct. 2014
2014 T. E. Hsieh, E. Y. Chang, Y. Z. Song, Y. C. Lin, H.C. Wang, S. C. Liu, S. Salahuddin, and C. C. Hu, Gate Recessed Quasi-Normally OFF Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT With Low Threshold Voltage Hysteresis Using PEALD AlN Interfacial Passivation Layer, IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no 7,pp.732 – 734,July2014
2013 E. Y. Chang, C. I. Kuo, H. T. Hsu, C. Y. Chiang, and Y. Miyamoto, InAs Thin-Channel High-Electron-Mobility Transistors with Very High Current-Gain Cutoff Frequency for Emerging Submillimeter-Wave Applications, Appl. Phys. Express, vol.6,no.3, pp.03400-1–03400-3, Feb. 2013
2013 Y. C. Lin, H. D. Trinh, T. W. Chuang, H. Iwai, K. Kakushima, P. Ahmet, C. H. Lin, C. H. Diaz, H. C. Chang, S. M. Jang, and E. Y. Chang, Electrical Characterization and Materials Stability Analysis of La2O3/HfO2 Composite Oxides on n-In0.53Ga0.47As MOS Capacitors with Different Annealing, IEEE Electron Device Lett., vol. 34, no. 10, pp. 1229 – 1231, Oct. 2013
2013 H. D. Trinh, Y. C. Lin, E. Y. Chang, C. T. Lee, S.Y. Wang, H. Q. Nguyen, Y. S. Chiu, Q. H. Luc, H.C. Chang, C. H. Lin, S. Jang, and C. H. Diaz, Electrical Characteristics of Al2O3/InSb MOSCAPs and the Effect of Postdeposition Annealing Temperature, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 5,pp. 1555 – 1559,May 2013
2008 C. I Kuo, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. Y. Chang, Y. Miyamoto, S. Datta, M.Radosavljevic, G. W. Huang, and C. T. Lee, RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As /InAs/In0.7Ga0.3As Composite Channel HEMT Using Gate Sinking Technology, IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 4, pp. 290-293, April 2008
2007 Y. C. Lin, H.Yamaguchi, E. Y. Chang, Y. C. Hsieh, M. Ueki, Y. Hirayama, C. Y. Chang, Growth of very high mobility AlGaSb/InAs High-Electron-Mobility transistor structure on Si substrate for high-speed electronic applications, Appl. Phys. Lett., vol. 90, issue 2, pp. 0235091-1–0235091-3, Nov. 2007
2007 C. Y. Chang, H. T. Hsu, E. Y. Chang, C. I. Kuo, M. Radosavljevic, Y. Miyamoto, and G. W. Huang, Investigation of Impact Ionization in InAs-Channel HEMT for Speed and Low Power Applications, IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 10, pp.856 - 858,Oct. 2007
2001 C. Y. Chen, E. Y. Chang, L. Chang, and S. H. Chen, Backside copper metallization of GaAs MESFET’s using TaN as the diffusion barrier, IEEE Trans. Electron Devices, vol.48, no.6, pp.1033-1036,June 2001
1996 Y. L. Lai, E. Y. Chang, C. Y. Chang, T. K. Chen, T. H. Liu, S. P. Wang, T. H. Chen, C. T. Lee, “5mm high-power-density dual-delta-doped power HEMT’s for 3 V L-band applications”, IEEE Electron Device Lett., vol.17, no. 5, pp. 229-231, May 1996
國家 學校名稱 系所 學位
美國 明尼蘇達大學 材料科學與工程 博士
台灣 國立清華大學 材料科學與工程 學士
服務機關名稱 單位 職務
國立交通大學 校長及副校長室 副校長
國立交通大學 國際半導體產業學院 院長
國立交通大學 / 台積電 交大-台積電聯合研發中心 主任
國立交通大學 研究發展處 研發長
國立交通大學 鑽石計畫辦公室 主任
國立交通大學 材料所 / 電子所 合聘教授
國立交通大學 材料科學與工程學系 主任
國立交通大學 國際化事務辦公室 執行長
國立交通大學 材料科學與工程學系 教授
漢威光電公司 總經理室 總經理
美國 Comsat Labs Microelectronics Division Senior MTS
美國 Unisys Corp GaAs Component Division Senior MTS
年度 獎項名稱 頒獎單位
2015 傑出研究獎 科技部
2014 會員 電機電子工程師學會(IEEE)
2013 會員 中國材料科學學會
2012 傑出研究獎 科技部
2011 傑出技術轉移貢獻獎 科技部
2011 國家產業創新獎-「產業創新學術獎」 經濟部
2008 傑出電機工程教授獎 中國電機工程學會
2008 傑出研究獎 科技部
2007 大學產業經濟貢獻獎-「產業深耕獎」 經濟部